GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材料的制備主要采用氣相外延生長的方法，石墨盤是外延生長GaN晶體的必備耗材。由于石墨材料在高溫、腐蝕性氣體環(huán)境下會發(fā)生腐蝕掉粉現象，從而將粉體雜質引入到單晶材料中。因此，涂覆高純度、均勻致密的保護涂層是解決該問題的唯一方法。經化學氣相沉積碳化硅涂層后的石墨盤具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性，滿足高純度單晶生長環(huán)境的需要，國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長設備上大規(guī)模使用，但國內還沒有這一相關的產品。

      國防科技大學從2000年開始，一直致力于化學氣相沉積碳化硅涂層制備技術應用研究，突破了碳化硅涂層制備的各項關鍵技術，具備了大尺寸（直徑700mm）碳化硅涂層制備能力，獲得國家發(fā)明專利授權1項。本實驗室制備的碳化硅涂層的特點是：（1）高溫抗氧化：溫度高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好；（2）純度高、均勻、致密、顆粒細、無缺陷；（3）耐沖刷；（4）抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在石墨盤方面具有很好的推廣應用前景。

     碳化硅涂層石墨盤是各半導體廠家必不可少的耗材，目前，該產品全部依賴進口，價格昂貴，且受制于人。因此，本實驗室開發(fā)的碳化硅涂層石墨盤技術一旦實現產業(yè)化，將對我國的半導體行業(yè)具有重要的戰(zhàn)略意義和市場經濟價值。